반도체에 대하여

최외각 전자가 4개인 silicon에 불순물을 집어 넣어서 자유 전자(N형) 또는 전공(P형)을 만들어줌
다이오드 : P형 반도체와 N형 반도체를 접합시킨 것 (맞 닿아 있는 곳은 전기적으로 중성이 되어 공핍 영역이 되는데 이곳은 전자가 흐르지 않음. 단 N형 반도체 쪽에 -전극을 연결하고 P형 반도체 쪽에 +전극을 연결하면 전기가 흐르게 됨)
트랜지스터 : NPN처럼 P형 반도체와 N형 반도체 3개를 접합한 것 (한 쪽의 전압이 높아지면 다른 한쪽에 전류가 흐르게 됨)
MOSFET은 트랜지스터를 실리콘 위에 만들기 쉽게한 형태임
- MOSFET의 발전사 : Planer FET → FinFET → GAAFET → MBCFET

반도체 공정 과정

실리콘 잉곳을 만들어서 얇게 잘라 silicon wafer를 만들어 낸다. 이때, 실리콘에 불순물을 만들어 P 또는 N형 반도체를 만들어 낼 수 있다.

실리콘 겉 부분을 산화시켜서 산화막을 만들어 낸다.

감광액을 도포한 후에 EUV 광선을 mask(reticle)에 반사 시킨 후 wafer에 전사한다.

포토 공정에서 새겨진 패턴에 따라 제거되어야 할 부분을 식각을 통해 제거한다.

실리콘을 증착하거나 이온을 주입하는 과정이다. 이온을 주입하는 과정에서 P 또는 N형 반도체가 만들어 질 수 있다.

산화 공정 및 포토 공정을 통해 금속이 배선될 곳을 배치하고 금속을 도표하여 금속 배선을 만들어 내는 공정이다.

EDS 공정 같은 반도체의 전기적 특성을 검사하는 테스트를 통해 양품이 맞는지 확인하는 과정이다.

반도체를 포장하는 과정이라고 생각하면 된다. 본딩 공정에 의해 반도체가 회로(PCB)와 어떻게 신호를 주고 받을지 결정이 된다.